SiO2 wedi'i gymhwyso mewn cylchedau integredig
Er bod silicon yn ddeunydd lled-ddargludyddion, mae SiO2 yn ddeunydd inswleiddio da, ac mae ganddo briodweddau cemegol hynod sefydlog, mae'r nodweddion rhagorol hyn yn golygu bod ganddo ystod eang iawn o gymwysiadau ym maes gweithgynhyrchu IC. Gellir dweud nid yn unig bod " silicon " yn ein harwain i'r Oes Silicon, ond hefyd prif ddefnyddiau SiO2. Adlewyrchir SiO2 mewn gweithgynhyrchu IC yn yr agweddau canlynol:
1. cuddio amhureddau
Mae silica yn gweithredu fel asiant cuddio ar gyfer trylediad amhureddau. Mewn gweithgynhyrchu IC, mae trylediad boron, ffosfforws ac arsenig mewn ffilmiau silica yn llawer arafach na'r hyn mewn silicon. Felly, y mwyaf cyffredin
dull a ddefnyddir i ffugio gwahanol ranbarthau o ddyfeisiau lled-ddargludyddion (megis rhanbarthau ffynhonnell a draen transistorau) yw cynhyrchu haen o ffilm ocsid SiO2 yn gyntaf ar wyneb afrlladen silicon, ar ôl ffotolithograffeg a datblygiad, yna ysgythru'r ffilm ocsid ar yr wyneb. o'r rhanbarth wedi'i dopio, ac felly'n ffurfio ffenestr dopio,
ac yn olaf amhuredd yn ddetholus trwy'r ffenestr. Mae Chi yn cael ei chwistrellu i'r ardal gyfatebol.
2. giât ocsid
Yn y broses weithgynhyrchu o gylchedau integredig MOS / CMOS, defnyddir SiO2 fel arfer fel dielectric giât inswleiddio transistorau MOS, hy haen ocsid giât.
3. ynysu dielectric
Mae'r dulliau ynysu mewn gwneuthuriad IC yn cynnwys ynysu cyffordd PN ac arwahanrwydd dielectrig, lle mae'r ynysu dielectrig fel arfer yn cael ei ddewis gan ffilm ocsid SiO2 . Er enghraifft, mae'r ocsigen maes yn y broses CMOS (a ddefnyddir i ynysu transistorau PMOS ac NMOS) yn ffilm SiO2 a ddefnyddir i ynysu rhanbarthau gweithredol transistorau PMOS ac NMOS.
4. cyfrwng inswleiddio
Mae silicon deuocsid yn ynysydd da, felly ar gyfer strwythur weirio metel aml-haen, fe'i defnyddir fel cyfrwng inswleiddio rhwng yr haenau uchaf ac isaf o fetel, gall atal cylched byr rhwng metelau.